Персонализирано механично рамо от силициев карбид

Кратко описание:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. е водещ доставчик, специализиран в вафли и усъвършенствани консумативи за полупроводници.Ние сме посветени на предоставянето на висококачествени, надеждни и иновативни продукти за производството на полупроводници,фотоволтаична индустрияи други свързани области.

Нашата продуктова линия включва графитни продукти с SiC/TaC покритие и керамични продукти, включващи различни материали като силициев карбид, силициев нитрид и алуминиев оксид и др.

Като доверен доставчик, ние разбираме важността на консумативите в производствения процес и се ангажираме да доставяме продукти, които отговарят на най-високите стандарти за качество, за да задоволим нуждите на нашите клиенти.

Изпратете имейл до нас

Подробности за продукта

Продуктови етикети

Силициевият карбид е нов тип керамика с висока цена и отлични свойства на материала.Благодарение на характеристики като висока якост и твърдост, устойчивост на висока температура, голяма топлопроводимост и устойчивост на химическа корозия, силициевият карбид може да издържи почти на всички химически среди.Следователно SiC се използва широко в петролния добив, химическата промишленост, машините и въздушното пространство, дори ядрената енергия и военните имат своите специални изисквания към SIC.Някои нормални приложения, които можем да предложим, са уплътнителни пръстени за помпа, клапан и защитна броня и др.

Ние сме в състояние да проектираме и произвеждаме според вашите специфични размери с добро качество и разумно време за доставка.

Характеристики и предимства

1. Прецизни размери и термична стабилност

2. Висока специфична твърдост и отлична топлинна равномерност, дългосрочната употреба не е лесна за огъване на деформация;

3. Има гладка повърхност и добра устойчивост на износване, като по този начин безопасно борави с чипа без замърсяване с частици.

4. Съпротивление на силициев карбид в 106-108Ω, немагнитно, в съответствие с изискванията на спецификацията против ESD;Може да предотврати натрупването на статично електричество върху повърхността на чипа

5. Добра топлопроводимост, нисък коефициент на разширение.