4", 6" и 8" N-тип SiC блокове на Semicera представляват пробив в полупроводниковите материали, предназначени да отговорят на нарастващите изисквания на съвременните електронни и енергийни системи. Тези блокове осигуряват здрава и стабилна основа за различни полупроводникови приложения, осигурявайки оптимално производителност и дълголетие.
Нашите N-тип SiC слитъци се произвеждат с помощта на усъвършенствани производствени процеси, които подобряват тяхната електрическа проводимост и термична стабилност. Това ги прави идеални за приложения с висока мощност и висока честота, като инвертори, транзистори и други силови електронни устройства, където ефективността и надеждността са от първостепенно значение.
Прецизното допиране на тези слитъци гарантира, че те предлагат постоянна и повторяема производителност. Тази последователност е от решаващо значение за разработчиците и производителите, които разширяват границите на технологиите в области като космическото пространство, автомобилостроенето и телекомуникациите. Блоковете SiC на Semicera позволяват производството на устройства, които работят ефективно при екстремни условия.
Изборът на N-тип SiC слитъци на Semicera означава интегриране на материали, които могат лесно да се справят с високи температури и големи електрически натоварвания. Тези слитъци са особено подходящи за създаване на компоненти, които изискват отлично термично управление и високочестотна работа, като RF усилватели и захранващи модули.
Избирайки 4", 6" и 8" N-тип SiC блокове на Semicera, вие инвестирате в продукт, който съчетава изключителни свойства на материала с прецизността и надеждността, изисквани от авангардни полупроводникови технологии. Semicera продължава да е лидер в индустрията чрез предоставяне на иновативни решения, които движат напредъка в производството на електронни устройства.
| Предмети | производство | Проучване | манекен |
| Кристални параметри | |||
| Политип | 4H | ||
| Грешка в ориентацията на повърхността | <11-20 >4±0,15° | ||
| Електрически параметри | |||
| Допант | n-тип азот | ||
| Съпротивление | 0,015-0,025 ом·см | ||
| Механични параметри | |||
| Диаметър | 150,0±0,2 мм | ||
| Дебелина | 350±25 μm | ||
| Основна плоска ориентация | [1-100]±5° | ||
| Първична плоска дължина | 47,5±1,5 мм | ||
| Второстепенен апартамент | Няма | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Поклон | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Деформация | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Предна (Si-лице) грапавост (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Структура | |||
| Плътност на микротръбата | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Метални примеси | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Предно качество | |||
| Преден | Si | ||
| Повърхностно покритие | Si-face CMP | ||
| частици | ≤60ea/вафла (размер≥0.3μm) | NA | |
| Драскотини | ≤5ea/mm. Кумулативна дължина ≤Диаметър | Кумулативна дължина≤2*диаметър | NA |
| Портокалова кора/ямки/петна/ивици/пукнатини/замърсяване | Няма | NA | |
| Крайни чипове/вдлъбнатини/счупени/шестограмни плочи | Няма | ||
| Политипни области | Няма | Кумулативна площ≤20% | Кумулативна площ≤30% |
| Предна лазерна маркировка | Няма | ||
| Качество на гърба | |||
| Обратно покритие | C-лице CMP | ||
| Драскотини | ≤5ea/mm, Кумулативна дължина≤2*Диаметър | NA | |
| Дефекти на гърба (стружки/вдлъбнатини по ръбовете) | Няма | ||
| Грапавост на гърба | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Лазерно маркиране на гърба | 1 mm (от горния ръб) | ||
| Ръб | |||
| Ръб | фаска | ||
| Опаковка | |||
| Опаковка | Epi-ready с вакуумна опаковка Опаковка за многовафлени касети | ||
| *Бележки: „NA“ означава, че няма заявка. Неспоменатите елементи може да се отнасят за SEMI-STD. | |||
