CVD SiC покритие
Силициев карбид (SiC) епитаксия
Епитаксиалната тава, която държи SiC субстрата за отглеждане на SiC епитаксиалния срез, поставена в реакционната камера и директно контактува с пластината.
Горната част на полумесеца е носител за други аксесоари на реакционната камера на оборудването за епитаксия Sic, докато долната част на полумесеца е свързана с кварцовата тръба, вкарвайки газа, за да задвижи основата на сенцептора да се върти.те са с контролируема температура и са инсталирани в реакционната камера без директен контакт с пластината.
Си епитаксия
Таблата, която държи Si субстрата за отглеждане на Si епитаксиален срез, поставена в реакционната камера и директно контактува с пластината.
Пръстенът за предварително нагряване се намира на външния пръстен на тавата за епитаксиален субстрат от Si и се използва за калибриране и нагряване.Той се поставя в реакционната камера и не контактува директно с пластината.
Епитаксиален фиксатор, който държи Si субстрата за отглеждане на Si епитаксиален срез, поставен в реакционната камера и директно контактува с пластината.
Епитаксиалният варел е ключови компоненти, използвани в различни процеси на производство на полупроводници, обикновено използвани в MOCVD оборудване, с отлична термична стабилност, химическа устойчивост и устойчивост на износване, много подходящи за използване при високотемпературни процеси.Той контактува с вафлите.
| 重结晶碳化硅物理特性 Физични свойства на рекристализирания силициев карбид | |
| 性质 / Собственост | 典型数值 / Типична стойност |
| 使用温度 / Работна температура (°C) | 1600°C (с кислород), 1700°C (редуцираща среда) |
| SiC 含量 / съдържание на SiC | > 99,96% |
| 自由 Si 含量 / Безплатно Si съдържание | <0,1% |
| 体积密度 / Насипна плътност | 2,60-2,70 g/cm3 |
| 气孔率 / Привидна порьозност | < 16% |
| 抗压强度 / Якост на натиск | > 600 MPa |
| 常温抗弯强度 / Якост на студено огъване | 80-90 MPa (20°C) |
| 高温抗弯强度 Якост на горещо огъване | 90-100 MPa (1400°C) |
| 热膨胀系数 / Термично разширение при 1500°C | 4,70 10-6/°C |
| 导热系数 / Топлопроводимост @1200°C | 23 W/m•K |
| 杨氏模量 / Модул на еластичност | 240 GPa |
| 抗热震性 / Устойчивост на термичен удар | Изключително добър |
| 烧结碳化硅物理特性 Физични свойства на синтерован силициев карбид | |
| 性质 / Собственост | 典型数值 / Типична стойност |
| 化学成分 / Химичен състав | SiC>95%, Si<5% |
| 体积密度 / Насипна плътност | >3,07 g/cm³ |
| 显气孔率 / Привидна порьозност | <0,1% |
| 常温抗弯强度 / Модул на разрушаване при 20 ℃ | 270 MPa |
| 高温抗弯强度 / Модул на разрушаване при 1200 ℃ | 290 MPa |
| 硬度 / Твърдост при 20 ℃ | 2400 Kg/mm² |
| 断裂韧性 / Якост на счупване при 20% | 3,3 MPa · m1/2 |
| 导热系数 / Топлопроводимост при 1200 ℃ | 45 w/m .K |
| 热膨胀系数 / Термично разширение при 20-1200 ℃ | 4,5 1 × 10 -6/℃ |
| 最高工作温度 / Макс. работна температура | 1400 ℃ |
| 热震稳定性 / Устойчивост на термичен удар при 1200 ℃ | добре |
| CVD SiC 薄膜基本物理性能 Основни физични свойства на CVD SiC филми | |
| 性质 / Собственост | 典型数值 / Типична стойност |
| 晶体结构 / Кристална структура | FCC β фаза поликристална, предимно (111) ориентирана |
| 密度 / Плътност | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Твърдост 2500 | 维氏硬度（500g натоварване） |
| 晶粒大小 / Размер на зърното | 2~10μm |
| 纯度 / Химическа чистота | 99,99995% |
| 热容 / Топлинен капацитет | 640 J·kg-1·К-1 |
| 升华温度 / Температура на сублимация | 2700 ℃ |
| 抗弯强度 / Якост на огъване | 415 MPa RT 4-точков |
| 杨氏模量 / Модул на Йънг | 430 Gpa 4pt завой, 1300 ℃ |
| 导热系数 / Топлопроводимост | 300W·m-1·К-1 |
| 热膨胀系数 / Термично разширение (CTE) | 4,5×10-6 K -1 |
Пиролитично въглеродно покритие
Основните функции
Повърхността е плътна и без пори.
Висока чистота, общо съдържание на примеси <20ppm, добра херметичност.
Устойчивост на висока температура, силата се увеличава с увеличаване на температурата на използване, достигайки най-високата стойност при 2750 ℃, сублимация при 3600 ℃.
Нисък модул на еластичност, висока топлопроводимост, нисък коефициент на топлинно разширение и отлична устойчивост на термичен удар.
Добра химическа стабилност, устойчивост на киселина, основи, сол и органични реагенти и няма ефект върху разтопени метали, шлака и други корозивни среди.Той не се окислява значително в атмосферата под 400 C, а скоростта на окисление значително се увеличава при 800 ℃.
Без да отделя никакъв газ при високи температури, той може да поддържа вакуум от 10-7 mmHg при около 1800°C.
Приложение на продукта
Тигел за топене за изпаряване в полупроводниковата индустрия.
Високомощна електронна тръбна врата.
Четка, която контактува с регулатора на напрежението.
Графитен монохроматор за рентген и неутрон.
Различни форми на графитни субстрати и покритие на атомно-абсорбционни тръби.
Ефект на пиролитично въглеродно покритие под 500X микроскоп, с непокътната и запечатана повърхност.
CVD покритие от танталов карбид
TaC покритието е ново поколение материал, устойчив на висока температура, с по-добра устойчивост на висока температура от SiC.Като устойчиво на корозия покритие, антиокислително покритие и устойчиво на износване покритие, може да се използва в среда над 2000C, широко използвано в космическите ултрависокотемпературни горещи крайни части, третото поколение полупроводникови монокристални полета за растеж.
| 碳化钽涂层物理特性物理特性 Физични свойства на TaC покритието | |
| 密度/ Плътност | 14,3 (g/cm3) |
| 比辐射率 /Специфична излъчвателна способност | 0,3 |
| 热膨胀系数/ Коефициент на термично разширение | 6.3 10/K |
| 努氏硬度 /Твърдост (HK) | 2000 HK |
| 电阻/ Съпротива | 1x10-5 Ohm*cm |
| 热稳定性 /Термична стабилност | <2500 ℃ |
| 石墨尺寸变化/Промени в размера на графит | -10~-20um |
| 涂层厚度/Дебелина на покритието | ≥220um типична стойност (35um±10um) |
Твърд силициев карбид (CVD SiC)
Частите от твърд CVD СИЛИЦИЕВ КАРБИД са признати като основен избор за RTP/EPI пръстени и основи и кухини за плазмено ецване, които работят при високи работни температури, изисквани от системата (> 1500°C), изискванията за чистота са особено високи (> 99,9995%) и представянето е особено добро, когато устойчивостта на химикали е особено висока.Тези материали не съдържат вторични фази по ръба на зърната, така че техните компоненти произвеждат по-малко частици от другите материали.В допълнение, тези компоненти могат да се почистват с помощта на горещ HF/HCI с малко разграждане, което води до по-малко частици и по-дълъг експлоатационен живот.
