CVD SiC покритие

Въведение в покритието от силициев карбид 

Нашето покритие от силициев карбид (SiC) за химическо отлагане на пари (CVD) е изключително издръжлив и устойчив на износване слой, идеален за среди, изискващи висока устойчивост на корозия и топлина.Покритие от силициев карбидсе нанася на тънки слоеве върху различни субстрати чрез CVD процес, предлагайки превъзходни характеристики.


Ключови характеристики

       ● -Изключителна чистота: С изключително чист състав на99,99995%, нашиятSiC покритиеминимизира рисковете от замърсяване при операции с чувствителни полупроводници.

● -Превъзходна устойчивост: Проявява отлична устойчивост както на износване, така и на корозия, което го прави идеален за предизвикателни химически и плазмени настройки.
● -Висока топлопроводимост: Осигурява надеждна работа при екстремни температури поради изключителните си топлинни свойства.
● -Стабилност на размерите: Поддържа структурната цялост в широк диапазон от температури, благодарение на ниския си коефициент на термично разширение.
● -Подобрена твърдост: С клас на твърдост от40 GPa, нашето SiC покритие издържа на значителни удари и абразия.
● -Гладка повърхност: Осигурява огледално покритие, намалява генерирането на частици и подобрява оперативната ефективност.


Приложения

Semicera SiC покритиясе използват в различни етапи от производството на полупроводници, включително:

● -Производство на LED чипове
● -Производство на полисилиций
● -Растеж на полупроводникови кристали
● -Силициева и SiC епитаксия
● -Термично окисление и дифузия (TO&D)

 

Ние доставяме компоненти с SiC покритие, изработени от изостатичен графит с висока якост, въглерод, подсилен с въглеродни влакна и 4N прекристализиран силициев карбид, пригодени за реактори с кипящ слой,STC-TCS преобразуватели, CZ рефлектори, лодка за пластини от SiC, гребло за пластини от SiC, тръба за пластини от SiC и носители за пластини, използвани в PECVD, силициева епитаксия, MOCVD процеси.


Ползи

● -Удължен живот: Значително намалява времето за престой на оборудването и разходите за поддръжка, повишавайки общата производствена ефективност.
● -Подобрено качество: Постига повърхности с висока чистота, необходими за обработка на полупроводници, като по този начин повишава качеството на продукта.
● -Повишена ефективност: Оптимизира термичните и CVD процесите, което води до по-кратки времена на цикъла и по-високи добиви.


Технически спецификации
     

● -Структура: FCC β фаза поликристална, предимно (111) ориентирана
● -Плътност: 3,21 g/cm³
● -Твърдост: 2500 твърдост по Викес (500g натоварване)
● -Издръжливост на счупване: 3,0 MPa·m1/2
● -Коефициент на топлинно разширение (100–600 °C): 4,3 х 10-6k-1
● -Еластичен модул (1300 ℃):435 GPa
● -Типична дебелина на филма:100 µm
● -Грапавост на повърхността:2-10 µm


Данни за чистота (измерени чрез масспектроскопия с тлеещ разряд)

елемент

ppm

елемент

ppm

Li

< 0,001

Cu

< 0,01

Be

< 0,001

Zn

< 0,05

Ал

< 0,04

Ga

< 0,01

P

< 0,01

Ge

< 0,05

S

< 0,04

As

< 0,005

K

< 0,05

In

< 0,01

Ca

< 0,05

Sn

< 0,01

Ti

< 0,005

Sb

< 0,01

V

< 0,001

W

< 0,05

Cr

< 0,05

Te

< 0,01

Mn

< 0,005

Pb

< 0,01

Fe

< 0,05

Bi

< 0,05

Ni

< 0,01

 

 
Използвайки авангардната CVD технология, ние предлагаме персонализираниSiC решения за покритиеза да отговорим на динамичните нужди на нашите клиенти и да подкрепим напредъка в производството на полупроводници.