CVD силициев карбид с висока чистота

Кратко описание:

CVD силициевият карбид с висока чистота Semicera е полупроводников материал с отлична производителност. Приготвя се чрез химическо отлагане на пари (CVD) и има отлични характеристики като висока чистота, висока степен на формоване и ниска плътност на дефектите. Той е идеален основен материал за производство на високоефективни устройства от силициев карбид.

Изпратете имейл до нас

Подробности за продукта

Продуктови етикети

CVD SiC суровината с висока чистота от Semicera е усъвършенстван материал, предназначен за използване в приложения с висока производителност, които изискват изключителна термична стабилност, твърдост и електрически свойства. Изработена от висококачествен силициев карбид с химическо отлагане на пари (CVD), тази суровина осигурява превъзходна чистота и консистенция, което я прави идеална за производство на полупроводници, високотемпературни покрития и други прецизни индустриални приложения.

CVD SiC суровината с висока чистота на Semicera е известна с отличната си устойчивост на износване, окисляване и термичен удар, осигурявайки надеждна работа дори в най-взискателните среди. Независимо дали се използва в производството на полупроводникови устройства, абразивни инструменти или усъвършенствани покрития, този материал осигурява солидна основа за приложения с висока производителност, които изискват най-високи стандарти за чистота и прецизност.

Със суровината SiC CVD с висока чистота на Semicera производителите могат да постигнат превъзходно качество на продукта и оперативна ефективност. Този материал поддържа редица индустрии, от електроника до енергетика, предлагайки издръжливост и производителност, несравними с нищо.

Суровините от силициев карбид с висока чистота CVD Semicera имат следните характеристики:

▪Висока чистота:изключително ниско съдържание на примеси, гарантиращо надеждността на устройството.

▪Висока кристалност:перфектна кристална структура, която е благоприятна за подобряване на работата на устройството.

▪Ниска плътност на дефектите:малък брой дефекти, намаляващи тока на утечка на устройството.

▪Голям размер:могат да бъдат осигурени субстрати от силициев карбид с голям размер, за да отговорят на нуждите на различни клиенти.

▪Персонализирано обслужване:различни видове и спецификации на материали от силициев карбид могат да бъдат персонализирани според нуждите на клиента.

u_107204252_192496881&fm_30&app_106&f_JPEG

Предимства на продукта

▪ Широка лента:Силициевият карбид има широка ширина на лентата, което му позволява да има отлична производителност в тежки среди като висока температура, високо налягане и висока честота.

▪Високо напрежение на пробив:Устройствата от силициев карбид имат по-високо напрежение на пробив и могат да произвеждат устройства с по-висока мощност.

▪Висока топлопроводимост:Силициевият карбид има отлична топлопроводимост, което благоприятства разсейването на топлината на устройството.

▪Висока подвижност на електрони:Устройствата със силициев карбид имат по-висока подвижност на електроните, което може да увеличи работната честота на устройството.