-
Какво е танталов карбид?
Танталовият карбид (TaC) е бинарно съединение на тантал и въглерод с химическа формула TaC x, където x обикновено варира между 0,4 и 1. Те са изключително твърди, крехки, огнеупорни керамични материали с метална проводимост. Те са кафяво-сиви прахове и сме...Прочетете повече -
какво е танталов карбид
Танталовият карбид (TaC) е ултрависокотемпературен керамичен материал с висока температурна устойчивост, висока плътност, висока компактност; висока чистота, съдържание на примеси <5PPM; и химическа инертност към амоняк и водород при високи температури и добра термична стабилност. Така наречените ултрависоки ...Прочетете повече -
Какво е епитаксия?
Повечето инженери не са запознати с епитаксията, която играе важна роля в производството на полупроводникови устройства. Епитаксията може да се използва в различни продукти с чипове и различните продукти имат различни видове епитаксия, включително Si епитаксия, SiC епитаксия, GaN епитаксия и т.н. Какво е епитаксия? Епитаксията е...Прочетете повече -
Какви са важните параметри на SiC?
Силициевият карбид (SiC) е важен широкозонов полупроводников материал, широко използван в мощни и високочестотни електронни устройства. Следват някои ключови параметри на пластините от силициев карбид и техните подробни обяснения: Параметри на решетката: Уверете се, че ...Прочетете повече -
Защо монокристалният силиций трябва да се валцува?
Валцоването се отнася до процеса на смилане на външния диаметър на силициева монокристална пръчка в единична кристална пръчка с необходимия диаметър с помощта на диамантено шлифовъчно колело и шлайфане на референтна повърхност с плосък ръб или позициониращ жлеб на монокристалната пръчка. Външният диаметър на повърхността...Прочетете повече -
Процеси за производство на висококачествени SiC прахове
Силициевият карбид (SiC) е неорганично съединение, известно с изключителните си свойства. Естествено срещащият се SiC, известен като моасанит, е доста рядък. В промишлените приложения силициевият карбид се произвежда предимно чрез синтетични методи. В Semicera Semiconductor използваме напреднала техника...Прочетете повече -
Контрол на еднородността на радиалното съпротивление по време на издърпване на кристала
Основните причини, влияещи върху еднородността на радиалното съпротивление на монокристалите, са плоскостта на границата твърдо-течно вещество и ефектът на малката равнина по време на растежа на кристала Влиянието на плоскостта на границата твърдо-течно вещество По време на растежа на кристала, ако стопилката се разбърква равномерно , на...Прочетете повече -
Защо монокристалната пещ с магнитно поле може да подобри качеството на монокристала
Тъй като тигелът се използва като контейнер и вътре има конвекция, тъй като размерът на генерирания монокристал се увеличава, топлинната конвекция и равномерността на температурния градиент стават по-трудни за контролиране. Чрез добавяне на магнитно поле, за да накара проводящата стопилка да действа върху силата на Лоренц, конвекцията може да бъде...Прочетете повече -
Бърз растеж на SiC монокристали с помощта на CVD-SiC насипен източник чрез сублимационен метод
Бърз растеж на монокристален SiC с помощта на CVD-SiC насипен източник чрез метод на сублимация Чрез използване на рециклирани CVD-SiC блокове като SiC източник, SiC кристалите бяха успешно отгледани със скорост от 1,46 mm/h чрез PVT метода. Микротръбата и плътността на дислокациите на израсналия кристал показват, че де...Прочетете повече -
Оптимизирано и преведено съдържание на оборудване за епитаксиален растеж на силициев карбид
Субстратите от силициев карбид (SiC) имат множество дефекти, които възпрепятстват директната обработка. За да се създадат пластини с чип, специфичен монокристален филм трябва да бъде отгледан върху SiC субстрат чрез епитаксиален процес. Този филм е известен като епитаксиален слой. Почти всички SiC устройства са реализирани върху епитаксиални...Прочетете повече -
Решаващата роля и случаи на приложение на графитни токоприемници с SiC покритие в производството на полупроводници
Semicera Semiconductor планира да увеличи производството на основни компоненти за оборудване за производство на полупроводници в световен мащаб. До 2027 г. имаме за цел да създадем нова фабрика от 20 000 квадратни метра с обща инвестиция от 70 милиона щатски долара. Един от нашите основни компоненти, силициевият карбид (SiC) вафла...Прочетете повече -
Защо трябва да правим епитаксия върху субстрати от силициеви пластини?
Във веригата на полупроводниковата промишленост, особено във веригата на полупроводниковата промишленост от трето поколение (широколентови полупроводникови полупроводници), има субстрати и епитаксиални слоеве. Какво е значението на епитаксиалния слой? Каква е разликата между субстрата и субстрата? Подстр...Прочетете повече