-
Процес на производство на полупроводници – Etch Technology
Необходими са стотици процеси, за да се превърне една пластина в полупроводник. Един от най-важните процеси е ецването - тоест издълбаването на фини верижни шарки върху пластината. Успехът на процеса на ецване зависи от управлението на различни променливи в рамките на зададен диапазон на разпределение и всяко ецване...Прочетете повече -
Идеален материал за пръстени за фокусиране в оборудване за плазмено ецване: силициев карбид (SiC)
В оборудването за плазмено ецване керамичните компоненти играят решаваща роля, включително пръстена за фокусиране. Фокусиращият пръстен, поставен около пластината и в пряк контакт с нея, е от съществено значение за фокусирането на плазмата върху пластината чрез прилагане на напрежение към пръстена. Това подобрява не...Прочетете повече -
Влияние на обработката на монокристал от силициев карбид върху качеството на повърхността на пластината
Полупроводниковите силови устройства заемат основна позиция в силовите електронни системи, особено в контекста на бързото развитие на технологии като изкуствен интелект, 5G комуникации и нови енергийни превозни средства, изискванията за производителност за тях са...Прочетете повече -
Ключов основен материал за растеж на SiC: покритие от танталов карбид
Понастоящем третото поколение полупроводници е доминирано от силициев карбид. В структурата на разходите на нейните устройства подложката заема 47%, а епитаксията - 23%. Двете заедно представляват около 70%, което е най-важната част от производството на устройства от силициев карбид...Прочетете повече -
Как продуктите с покритие от танталов карбид повишават устойчивостта на корозия на материалите?
Покритието от танталов карбид е често използвана технология за повърхностна обработка, която може значително да подобри устойчивостта на корозия на материалите. Покритието от танталов карбид може да бъде прикрепено към повърхността на субстрата чрез различни методи за подготовка, като химическо отлагане на пари, физика...Прочетете повече -
Вчера Съветът за иновации в областта на науката и технологиите издаде съобщение, че Huazhuo Precision Technology прекрати своето IPO!
Току-що обяви доставката на първото 8-инчово SIC оборудване за лазерно отгряване в Китай, което също е технология на Tsinghua; Защо сами изтеглиха материалите? Само няколко думи: Първо, продуктите са твърде разнообразни! На пръв поглед не знам какво правят. В момента Х...Прочетете повече -
CVD покритие от силициев карбид-2
CVD покритие от силициев карбид 1. Защо има покритие от силициев карбид Епитаксиалният слой е специфичен монокристален тънък филм, отгледан на основата на пластината чрез епитаксиален процес. Субстратната пластина и епитаксиалният тънък филм се наричат общо епитаксиални пластини. Сред тях са...Прочетете повече -
Процес на приготвяне на SIC покритие
Понастоящем методите за приготвяне на SiC покритие включват главно метод на гел-зол, метод на вграждане, метод на покритие с четка, метод на плазмено пръскане, метод на химическа реакция на пари (CVR) и метод на химическо отлагане на пари (CVD). Метод на вграждане Този метод е вид високотемпературна твърда фаза ...Прочетете повече -
CVD покритие от силициев карбид-1
Какво е CVD SiC Химичното отлагане на пари (CVD) е процес на вакуумно отлагане, използван за производство на твърди материали с висока чистота. Този процес често се използва в областта на производството на полупроводници за образуване на тънки филми върху повърхността на пластините. В процеса на приготвяне на SiC чрез CVD, субстратът се експ...Прочетете повече -
Анализ на дислокационната структура в SiC кристал чрез симулация на проследяване на лъчи, подпомогната от рентгеново топологично изображение
Предистория на изследването Значение на приложението на силициевия карбид (SiC): Като полупроводников материал с широка забранена зона, силициевият карбид привлече много внимание поради отличните си електрически свойства (като по-голяма забранена зона, по-висока скорост на насищане на електрони и топлопроводимост). Тези опори...Прочетете повече -
Процес на приготвяне на зародишни кристали в монокристален растеж на SiC 3
Проверка на растеж Зародишните кристали от силициев карбид (SiC) бяха приготвени следвайки описания процес и валидирани чрез растеж на кристали SiC. Използваната платформа за растеж беше самостоятелно разработена SiC индукционна пещ за растеж с температура на растеж от 2200 ℃, налягане на растеж от 200 Pa и растеж...Прочетете повече -
Процес на подготовка на зародишни кристали в SiC монокристален растеж (част 2)
2. Експериментален процес 2.1 Втвърдяване на адхезивен филм Беше наблюдавано, че директното създаване на въглероден филм или свързване с графитна хартия върху SiC пластини, покрити с лепило, доведе до няколко проблема: 1. При вакуумни условия, адхезивният филм върху SiC пластини разви люспест вид поради да подпиша...Прочетете повече