Графитен ток с покритие от силициев карбид

Кратко описание:

Graphite Susceptor със силициево-карбидно покритие на Semicera Semiconductor осигурява изключителна топлопроводимост и издръжливост за епитаксиални приложения. Разчитайте на Semicera за усъвършенствани фиксатори, предназначени да подобрят вашите епитаксиални процеси с превъзходна технология за покритие SiC.

Изпратете имейл до нас

Подробности за продукта

Продуктови етикети

Описание

Графитните фиксатори на Semicera с SiC покритие са проектирани с помощта на висококачествени графитни субстрати, които са щателно покрити със силициев карбид (SiC) чрез усъвършенствани процеси на химическо отлагане на пари (CVD). Този иновативен дизайн осигурява изключителна устойчивост на термичен шок и химическо разграждане, като значително удължава живота на графитения приемник с SiC покритие и гарантира надеждна работа през целия производствен процес на полупроводници.

Основни характеристики:

1. Превъзходна топлопроводимостГрафитният ток с покритие от SiC показва изключителна топлопроводимост, която е от решаващо значение за ефективното разсейване на топлината по време на производството на полупроводници. Тази функция минимизира топлинните градиенти на повърхността на пластината, насърчавайки равномерно разпределение на температурата, което е от съществено значение за постигане на желаните свойства на полупроводника.

2. Здрава устойчивост на химически и термични удариSiC покритието осигурява страхотна защита срещу химическа корозия и термичен шок, поддържайки целостта на графитния фиксатор дори в тежки работни среди. Тази подобрена издръжливост намалява времето за престой и удължава живота, допринасяйки за повишена производителност и ефективност на разходите в съоръженията за производство на полупроводници.

3. Персонализиране за специфични нуждиНашите графитни фиксатори с SiC покритие могат да бъдат пригодени да отговарят на специфични изисквания и предпочитания. Ние предлагаме набор от опции за персонализиране, включително корекции на размера и вариации в дебелината на покритието, за да осигурим гъвкавост на дизайна и оптимизирана производителност за различни приложения и параметри на процеса.

Приложения:

ПриложенияSemicera SiC покритията се използват в различни етапи от производството на полупроводници, включително:
1. -Производство на светодиоден чип
2. -Производство на полисилиций
3. -Растеж на полупроводникови кристали
4. -Силиций и SiC епитаксия
5. -Термично окисление и дифузия (TO&D)