SOI Wafer (Silicon On Insulator) на Semicera е проектиран да осигури превъзходна електрическа изолация и топлинна ефективност. Тази иновативна структура на пластини, включваща силиконов слой върху изолационен слой, осигурява подобрена производителност на устройството и намалена консумация на енергия, което го прави идеален за различни високотехнологични приложения.
Нашите SOI пластини предлагат изключителни предимства за интегралните схеми чрез минимизиране на паразитния капацитет и подобряване на скоростта и ефективността на устройството. Това е от решаващо значение за съвременната електроника, където високата производителност и енергийната ефективност са от съществено значение както за потребителските, така и за индустриалните приложения.
Semicera използва усъвършенствани производствени техники за производство на SOI вафли с постоянно качество и надеждност. Тези пластини осигуряват отлична топлоизолация, което ги прави подходящи за използване в среди, където разсейването на топлината е проблем, като например в електронни устройства с висока плътност и системи за управление на захранването.
Използването на SOI пластини в производството на полупроводници позволява разработването на по-малки, по-бързи и по-надеждни чипове. Ангажиментът на Semicera към прецизното инженерство гарантира, че нашите SOI пластини отговарят на високите стандарти, необходими за авангардни технологии в области като телекомуникациите, автомобилостроенето и потребителската електроника.
Изборът на SOI Wafer на Semicera означава инвестиране в продукт, който поддържа напредъка на електронните и микроелектронните технологии. Нашите вафли са проектирани да осигурят подобрена производителност и издръжливост, като допринасят за успеха на вашите високотехнологични проекти и гарантират, че ще останете в челните редици на иновациите.
Предмети | производство | Проучване | манекен |
Кристални параметри | |||
Политип | 4H | ||
Грешка в ориентацията на повърхността | <11-20 >4±0,15° | ||
Електрически параметри | |||
Допант | n-тип азот | ||
Съпротивление | 0,015-0,025 ом·см | ||
Механични параметри | |||
Диаметър | 150,0±0,2 мм | ||
Дебелина | 350±25 μm | ||
Основна плоска ориентация | [1-100]±5° | ||
Основна плоска дължина | 47,5±1,5 мм | ||
Второстепенен апартамент | Няма | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
Поклон | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Деформация | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Предна (Si-лице) грапавост (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Структура | |||
Плътност на микротръбата | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
Метални примеси | ≤5E10atoms/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Предно качество | |||
Отпред | Si | ||
Повърхностно покритие | Si-face CMP | ||
частици | ≤60ea/вафла (размер≥0.3μm) | NA | |
Драскотини | ≤5ea/mm. Кумулативна дължина ≤Диаметър | Кумулативна дължина≤2*диаметър | NA |
Портокалова кора/ямки/петна/ивици/пукнатини/замърсяване | Няма | NA | |
Крайни чипове/вдлъбнатини/счупени/шестограмни плочи | Няма | ||
Политипни области | Няма | Кумулативна площ≤20% | Кумулативна площ≤30% |
Предна лазерна маркировка | Няма | ||
Качество на гърба | |||
Обратно покритие | C-лице CMP | ||
Драскотини | ≤5ea/mm, Кумулативна дължина≤2*Диаметър | NA | |
Дефекти на гърба (стружки/вдлъбнатини по ръбовете) | Няма | ||
Грапавост на гърба | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Лазерно маркиране на гърба | 1 mm (от горния ръб) | ||
Edge | |||
Edge | фаска | ||
Опаковка | |||
Опаковка | Epi-ready с вакуумна опаковка Опаковка за многовафлени касети | ||
*Бележки: „NA“ означава, че няма заявка. Неспоменатите елементи може да се отнасят за SEMI-STD. |