Водещ пръстен от графит с TaC покритие

Графитен направляващ пръстен с TaC покритие Представено изображение

Кратко описание:

Графитният направляващ пръстен с TaC покритие на Semicera Semiconductor е проектиран за растеж на кристали от силициев карбид, осигурявайки изключителна устойчивост на износване и термична стабилност. Изберете Semicera за надеждни и високоефективни компоненти.

Изпратете имейл до нас

Подробности за продукта

Продуктови етикети

Водещи пръстени от графит с TaC покритиесе отнасят до отлагането на тънък слой оттанталов карбидвърху повърхността на графитен направляващ пръстен за подобряване на неговата устойчивост на износване, устойчивост на висока температура и химическа стабилност. Това покритие обикновено се формира върху повърхността на графитен направляващ пръстен чрез техники като физическо отлагане на пари (PVD) или химическо отлагане на пари (CVD).

Semicera предоставя специализирани покрития от танталов карбид (TaC) за различни компоненти и носители.Водещият процес на нанасяне на покритие Semicera позволява покритията от танталов карбид (TaC) да постигнат висока чистота, висока температурна стабилност и висока химическа толерантност, подобрявайки качеството на продукта на SIC/GAN кристали и EPI слоеве (TaC ток с графитено покритие) и удължаване на живота на ключови компоненти на реактора. Използването на покритие от TaC от танталов карбид е за решаване на проблема с ръбовете и подобряване на качеството на растежа на кристалите, а Semicera има пробив в разрешаването на технологията за покритие от танталов карбид (CVD), достигайки международно напреднало ниво.

След години на развитие Semicera завладя технологията наCVD TaCсъс съвместните усилия на отдела за научноизследователска и развойна дейност. Лесно се появяват дефекти в процеса на растеж на SiC пластини, но след употребаTaC, разликата е съществена. По-долу е дадено сравнение на пластини със и без TaC, както и части на Simicera за монокристален растеж.

Основните характеристики на водещите пръстени с графитно покритие TaC включват:

1. Устойчивост на висока температура: TaC покритието има отлична стабилност при висока температура и може да поддържа стабилност в среда с висока температура.

2. Устойчивост на износване: Високата твърдост на тънкия слой от танталов карбид дава на водещия пръстен добра устойчивост на износване и удължава експлоатационния му живот.

3. Химическа стабилност: TaC покритието има висока стабилност срещу химическа корозия, което го прави подходящо за приложения в някои корозивни среди.

4. Намаляване на триенето: TaC покритието може ефективно да намали триенето между графитния водещ пръстен и други компоненти и да подобри ефективността на механичните уплътнения.

Високоефективно покритие от танталов карбид_ подобрява ефективността на промишленото производство и намалява разходите за поддръжка Представено изображение

Tac част за монокристален растеж

Покритие от танталов карбид против износване_ Предпазва оборудването от износване и корозия Показано изображение

Графит с пръстен с TaC покритие

със и без TaC

След използване на TaC (вдясно)

Освен това на SemiceraПродукти с TaC покритиепоказват по-дълъг експлоатационен живот и по-голяма устойчивост на висока температура в сравнение сSiC покрития.Лабораторните измервания показват, че нашитеTaC покритияможе да работи постоянно при температури до 2300 градуса по Целзий за продължителни периоди. По-долу са някои примери за нашите проби: