Semicera предоставя специализирани покрития от танталов карбид (TaC) за различни компоненти и носители.Водещият процес на нанасяне на покритие Semicera позволява покритията от танталов карбид (TaC) да постигнат висока чистота, висока температурна стабилност и висока химическа толерантност, подобрявайки качеството на продукта на SIC/GAN кристали и EPI слоеве (TaC ток с графитено покритие) и удължаване на живота на ключови компоненти на реактора. Използването на покритие от TaC от танталов карбид е за решаване на проблема с ръбовете и подобряване на качеството на растежа на кристалите, а Semicera има пробив в разрешаването на технологията за покритие от танталов карбид (CVD), достигайки международно напреднало ниво.
След години на развитие Semicera завладя технологията наCVD TaCсъс съвместните усилия на отдела за научноизследователска и развойна дейност. Лесно се появяват дефекти в процеса на растеж на SiC пластини, но след употребаTaC, разликата е съществена. По-долу е дадено сравнение на пластини със и без TaC, както и части на Simicera за монокристален растеж.
със и без TaC
След използване на TaC (вдясно)
Освен това на SemiceraПродукти с TaC покритиепоказват по-дълъг експлоатационен живот и по-голяма устойчивост на висока температура в сравнение сSiC покрития.Лабораторните измервания показват, че нашитеTaC покритияможе да работи постоянно при температури до 2300 градуса по Целзий за продължителни периоди. По-долу са някои примери за нашите проби:
