Semicera предоставя специализирани покрития от танталов карбид (TaC) за различни компоненти и носители.Водещият процес на нанасяне на покритие Semicera позволява покритията от танталов карбид (TaC) да постигнат висока чистота, висока температурна стабилност и висока химическа толерантност, подобрявайки качеството на продукта на SIC/GAN кристали и EPI слоеве (TaC ток с графитено покритие) и удължаване на живота на ключови компоненти на реактора. Използването на покритие от TaC от танталов карбид е за решаване на проблема с ръбовете и подобряване на качеството на растежа на кристалите, а Semicera има пробив в разрешаването на технологията за покритие от танталов карбид (CVD), достигайки международно напреднало ниво.
С появата на 8-инчовите пластини от силициев карбид (SiC) изискванията за различни полупроводникови процеси станаха все по-строги, особено за процесите на епитаксия, където температурите могат да надвишават 2000 градуса по Целзий. Традиционните сенцепторни материали, като графит, покрит със силициев карбид, са склонни да сублимират при тези високи температури, нарушавайки процеса на епитаксия. Въпреки това, CVD танталов карбид (TaC) ефективно се справя с този проблем, като издържа на температури до 2300 градуса по Целзий и предлага по-дълъг експлоатационен живот. Свържете се със Semicera's Покритие от танталов карбид Полумесецза да проучите повече за нашите усъвършенствани решения.
След години на развитие Semicera завладя технологията наCVD TaCсъс съвместните усилия на отдела за научноизследователска и развойна дейност. Лесно се появяват дефекти в процеса на растеж на SiC пластини, но след употребаTaC, разликата е съществена. По-долу е дадено сравнение на пластини със и без TaC, както и части на Simicera за монокристален растеж.
със и без TaC
След използване на TaC (вдясно)
Освен това на SemiceraПродукти с TaC покритиепоказват по-дълъг експлоатационен живот и по-голяма устойчивост на висока температура в сравнение сSiC покрития.Лабораторните измервания показват, че нашитеTaC покритияможе да работи постоянно при температури до 2300 градуса по Целзий за продължителни периоди. По-долу са някои примери за нашите проби:
Сприцептор с покритие от TaC
Графит с TaC покрит реактор
