Нашата компания предоставяSiC покритиеобработват услуги върху повърхността на графит, керамика и други материали чрез CVD метод, така че специални газове, съдържащи въглерод и силиций, могат да реагират при висока температура, за да се получат Sic молекули с висока чистота, които могат да бъдат отложени върху повърхността на покрити материали, за да образуватSiC защитен слойза епитаксиален цилиндър тип хипнотик.
Основни характеристики:
1. Графит с високочисто SiC покритие
2. Превъзходна устойчивост на топлина и топлинна равномерност
3. ДобреSiC кристално покритиеза гладка повърхност
4. Висока издръжливост срещу химическо почистване
Основни спецификации наCVD-SIC покритие
| SiC-CVD свойства | ||
| Кристална структура | FCC β фаза | |
| Плътност | g/cm³ | 3.21 |
| твърдост | Твърдост по Викерс | 2500 |
| Размер на зърното | μm | 2~10 |
| Химическа чистота | % | 99.99995 |
| Топлинен капацитет | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Температура на сублимация | ℃ | 2700 |
| Felexural Сила | MPa (RT 4 точки) | 415 |
| Модулът на Йънг | Gpa (4pt завой, 1300 ℃) | 430 |
| Термично разширение (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Топлопроводимост | (W/mK) | 300 |
