Процес с покритие от SiC за графитни носители с покритие от SiC

Поддържаме много близки допуски при прилагането наSiC покритие, като се използва високопрецизна обработка, за да се осигури еднакъв профил на възприемника.Ние също произвеждаме материали с идеални свойства на електрическо съпротивление за използване в системи с индуктивно нагряване.Всички готови компоненти се доставят със сертификат за чистота и съответствие с размерите.

Нашата компания предоставяSiC покритиеобработват услуги чрез CVD метод върху повърхността на графит, керамика и други материали, така че специални газове, съдържащи въглерод и силиций, реагират при висока температура, за да се получат молекули SiC с висока чистота, молекули, отложени върху повърхността на покритите материали, образуващи SIC защитен слой.Образуваният SIC е здраво свързан с графитната основа, придавайки на графитната основа специални свойства, като по този начин прави повърхността на графита компактна, без порьозност, устойчивост на висока температура, устойчивост на корозия и устойчивост на окисление.

CVD процесът осигурява изключително висока чистота и теоретична плътност наSiC покритиебез порьозност.Нещо повече, тъй като силициевият карбид е много твърд, той може да бъде полиран до огледална повърхност.CVD покритие от силициев карбид (SiC).предоставя няколко предимства, включително повърхност със свръхвисока чистота и изключителна издръжливост на износване.Тъй като продуктите с покритие имат отлична производителност при условия на висок вакуум и висока температура, те са идеални за приложения в полупроводниковата индустрия и други ултра-чисти среди.Ние също така предлагаме продукти с пиролитичен графит (PG).