Описание
Нашата компания предоставя услуги за процес на нанасяне на SiC покритие чрез CVD метод върху повърхността на графит, керамика и други материали, така че специални газове, съдържащи въглерод и силиций, реагират при висока температура, за да се получат високочисти SiC молекули, молекули, отложени върху повърхността на покритите материали, образувайки SIC защитен слой.
Основните функции
1. Устойчивост на окисление при висока температура: устойчивостта на окисляване все още е много добра, когато температурата е по-висока от 1600 C.
2. Висока чистота: направено чрез химическо отлагане на пари при високотемпературно хлориране.
3. Устойчивост на ерозия: висока твърдост, компактна повърхност, фини частици.
4. Устойчивост на корозия: киселина, основи, сол и органични реагенти.
Основни спецификации на CVD-SIC покритие
| SiC-CVD свойства | ||
| Кристална структура | FCC β фаза | |
| Плътност | g/cm³ | 3.21 |
| твърдост | Твърдост по Викерс | 2500 |
| Размер на зърното | μm | 2~10 |
| Химическа чистота | % | 99.99995 |
| Топлинен капацитет | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Температура на сублимация | ℃ | 2700 |
| Felexural Сила | MPa (RT 4 точки) | 415 |
| Модулът на Йънг | Gpa (4pt завой, 1300 ℃) | 430 |
| Термично разширение (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Топлопроводимост | (W/mK) | 300 |
-
Графитен нагревател гореща зона/графитено горещо поле, около...
-
SiC щифтове за процеси на ICP ецване в ...
-
Половини части за SiC епитаксиално оборудване
-
Реактор с карбидно покритие Барелен реактор
-
Графитен варел с SiC покритие за епитаксиален растеж
-
Полупроводников епитаксиален реактор с SiC покритие за ...