GaN епитаксия на основата на силиций

Кратко описание:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. е водещ доставчик на усъвършенствана полупроводникова керамика и единственият производител в Китай, който може едновременно да осигури керамика от силициев карбид с висока чистота (особеноПрекристализиран SiC) и CVD SiC покритие.В допълнение, нашата компания се ангажира и с керамични области като алуминиев оксид, алуминиев нитрид, циркониев оксид и силициев нитрид и др.

Изпратете имейл до нас

Подробности за продукта

Продуктови етикети

Описание на продукта

Нашата компания предоставяSiC покритиеобработват услуги чрез CVD метод върху повърхността на графит, керамика и други материали, така че специални газове, съдържащи въглерод и силиций, реагират при висока температура, за да се получат високочисти SiC молекули, молекули, отложени върху повърхността на покритите материали, образувайкиSIC защитен слой.

Основните функции:

1. Устойчивост на окисление при висока температура:

устойчивостта на окисление е все още много добра, когато температурата е по-висока от 1600 C.

2. Висока чистота: направено чрез химическо отлагане на пари при високотемпературно хлориране.

3. Устойчивост на ерозия: висока твърдост, компактна повърхност, фини частици.

4. Устойчивост на корозия: киселина, основи, сол и органични реагенти.

Основни спецификации на CVD-SIC покритие

SiC-CVD свойства
Кристална структура	FCC β фаза
Плътност	g/cm³	3.21
твърдост	Твърдост по Викерс	2500
Размер на зърното	μm	2~10
Химическа чистота	%	99.99995
Топлинен капацитет	J·kg-1 ·K-1	640
Температура на сублимация	℃	2700
Felexural Сила	MPa (RT 4 точки)	415
Модулът на Йънг	Gpa (4pt завой, 1300 ℃)	430
Термично разширение (CTE)	10-6K-1	4.5
Топлопроводимост	(W/mK)	300