Описание
Нашата компания предоставя услуги за процес на нанасяне на SiC покритие чрез CVD метод върху повърхността на графит, керамика и други материали, така че специални газове, съдържащи въглерод и силиций, реагират при висока температура, за да се получат високочисти SiC молекули, молекули, отложени върху повърхността на покритите материали, образувайки SIC защитен слой.
Основните функции
1. Устойчивост на окисление при висока температура:
устойчивостта на окисление е все още много добра, когато температурата е по-висока от 1600 C.
2. Висока чистота: направено чрез химическо отлагане на пари при високотемпературно хлориране.
3. Устойчивост на ерозия: висока твърдост, компактна повърхност, фини частици.
4. Устойчивост на корозия: киселина, основи, сол и органични реагенти.
Основни спецификации на CVD-SIC покритие
| SiC-CVD свойства | ||
| Кристална структура | FCC β фаза | |
| Плътност | g/cm³ | 3.21 |
| твърдост | Твърдост по Викерс | 2500 |
| Размер на зърното | μm | 2~10 |
| Химическа чистота | % | 99.99995 |
| Топлинен капацитет | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Температура на сублимация | ℃ | 2700 |
| Felexural Сила | MPa (RT 4 точки) | 415 |
| Модулът на Йънг | Gpa (огъване 4 точки, 1300 ℃) | 430 |
| Термично разширение (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Топлопроводимост | (W/mK) | 300 |
-
Епитаксиален реактор със силициев карбид SiC покритие Ba...
-
Графитен ток със силициево-карбидно покритие...
-
Носеща плоча от силициев карбид RTA за полупроводникови...
-
Квадратна лодка от силициев карбид
-
Устойчив на висока температура и корозия LED Si...
-
PSS обработващ носител за полупроводникови пластини ...