Субстрати от силициев карбид|SiC пластини

Субстрати от силициев карбид|SiC вафли Представено изображение

Кратко описание:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. е водещ доставчик, специализиран в вафли и усъвършенствани консумативи за полупроводници.Ние сме посветени на предоставянето на висококачествени, надеждни и иновативни продукти за производството на полупроводници, фотоволтаичната индустрия и други свързани области.

Нашата продуктова линия включва графитни продукти с SiC/TaC покритие и керамични продукти, включващи различни материали като силициев карбид, силициев нитрид и алуминиев оксид и др.

В момента ние сме единственият производител, който осигурява чистота 99,9999% SiC покритие и 99,9% прекристализиран силициев карбид.Максималната дължина на SiC покритието, която можем да направим, е 2640 mm.

Изпратете имейл до нас

Подробности за продукта

Продуктови етикети

Монокристален материал от силициев карбид (SiC) има голяма ширина на забранената лента (~Si 3 пъти), висока топлопроводимост (~Si 3,3 пъти или GaAs 10 пъти), висока скорост на миграция на насищане с електрони (~Si 2,5 пъти), висока електрическа пробив поле (~Si 10 пъти или GaAs 5 пъти) и други изключителни характеристики.

SiC устройствата имат незаменими предимства в областта на високите температури, високото налягане, високата честота, електронните устройства с висока мощност и екстремните екологични приложения като аерокосмическа, военна, ядрена енергия и т.н., компенсират дефектите на традиционните полупроводникови материални устройства в практиката приложения и постепенно се превръщат в основния поток на силовите полупроводници.

Спецификации на 4H-SiC субстрат от силициев карбид

Артикул项目	Спецификации参数
Политип 晶型	4H -SiC	6H-SiC
Диаметър 晶圆直径	2 инча \|3 инча \|4 инча \|6 инча	2 инча \|3 инча \|4 инча \|6 инча
Дебелина 厚度	330 μm ~ 350 μm	330 μm ~ 350 μm
Проводимост 导电类型	N – тип / Полуизолационен N型导电片/ 半绝缘片	N – тип / Полуизолационен N型导电片/ 半绝缘片
Допант 掺杂剂	N2 (азот)V (ванадий)	N2 (азот) V (ванадий)
Ориентация 晶向	По ос <0001> Извън оста <0001> извън 4°	По ос <0001> Извън оста <0001> извън 4°
Съпротивление 电阻率	0,015 ~ 0,03 ома-см (4H-N)	0,02 ~ 0,1 ома-см (6H-N)
Плътност на микротръбата (MPD) 微管密度	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm	≤ 15 μm
Лък / Основа 翘曲度	≤25 μm	≤25 μm
Повърхност 表面处理	DSP/SSP	DSP/SSP
Степен 产品等级	Степен на производство / изследване	Степен на производство / изследване
Последователност на подреждане на кристали 堆积方式	ABCB	ABCABC
Параметър на решетката 晶格参数	a=3.076A, c=10.053A	a=3.073A, c=15.117A
Eg/eV (забранена лента) 禁带宽度	3,27 eV	3,02 eV
ε (диелектрична константа) 介电常数	9.6	9,66
Индекс на пречупване 折射率	n0 =2,719 ne =2,777	n0 =2,707, ne =2,755

Спецификации на субстрата от силициев карбид 6H-SiC

Артикул项目	Спецификации参数
Политип 晶型	6H-SiC
Диаметър 晶圆直径	4 инча \|6 инча
Дебелина 厚度	350μm ~ 450μm
Проводимост 导电类型	N – тип / Полуизолационен N型导电片/ 半绝缘片
Допант 掺杂剂	N2 (азот) V (ванадий)
Ориентация 晶向	<0001> изключено 4°± 0,5°
Съпротивление 电阻率	0,02 ~ 0,1 ома-см (Тип 6H-N)
Плътност на микротръбата (MPD) 微管密度	≤ 10/cm2
TTV 总厚度变化	≤ 15 μm
Лък / Основа 翘曲度	≤25 μm
Повърхност 表面处理	Si Face: CMP, Epi-Ready C лице: оптичен лак
Степен 产品等级	Степен на изследване